
所有固體中,都存在著或多或少的缺陷。有些缺陷來自於晶格空穴,這些空穴與鄰近原子之間可能形成「二能級系統(two-level systems, TLSs)」,使得一顆∕一團原子在空間緊鄰、能量又相近的二個位置∕晶格組態之間來回躍動,構成一種「動態結構缺陷(dynamical structural defects)」,簡稱「動態缺陷(dynamic defects)」,如圖1(A)所示。二能級系統的概念早在1972年就由P. W. Anderson(1977年諾貝爾物理學獎得主)與W. A. Phillips等人分別提出,用於解釋非晶態材料的低溫比熱與熱傳導的奇特行為。這種動態缺陷的自發性反覆來回躍動(fluctuations或repeated switches),對奈米尺度元件的效能會造成惡性影響。例如,造成超導量子位元量子糾纏態破壞,降低量子同調時間;造成奈米機電(NEMS)元件能量耗散,降低其品質因子(quality factor),進而影響量子極限量測的能力;和造成低頻雜訊(1/f noise),影響奈米電子元件的性能等。
幾十年來的研究證實,動態缺陷大多源於單顆原子在空間中的躍動,稱為「原子二能級系統(atomic TLSs)」。至於材料中的奈米尺度晶粒(nanocrystalline grain)——包含上千、甚至上萬顆原子——是否也能如原子二能級系統般,在二個晶格組態之間來回躍動,則是科學文獻中的一個長久未解之謎?圖1(B)表示我們稱之為「晶粒二能級系統(granular TLSs)」的理論模型,二個介穩晶格組態被位能障VB分隔,晶粒可以藉由熱激發(高溫時)或是量子穿隧(低溫時)在二個位能阱之間不斷反覆變換位置。

圖1、原子二能級系統與晶粒二能級系統示意圖
最近,我們在室溫下觀測到二氧化釕(RuO2)金屬奈米線中奈米晶粒的自發性整體來回躍動行為。高解析穿透式電子顯微鏡的影像顯示,二氧化釕奈米線內部含有許多奈米尺度晶粒,如圖2(A)中G1到G6黃框所標示。

二氧化釕中的氧缺陷(空穴),則會形成原子二能級系統,很可能大量處於晶粒邊界,因此造成晶粒之間的鍵結減弱,從而產生晶粒轉∕滑動現象。

圖2、RuO2奈米線的高解析穿透式電子顯微鏡影像,和電性量測裝置圖

圖3、RuO2奈米線電阻率隨時間擾動的數據
這項研究由交通大學物理所葉勝玄博士後研究員、張文耀碩士生(已畢業)和林志忠教授合作完成,發表於2017年6月23日《Science Advances》期刊。